北京科技大学博士生导师简介：耿文通

导师姓名

耿文通

性别

男

出生年月

1970年6月

技术职称

教授

行政职务

所在学院

材料科学与工程学院

招生专业

材料物理与化学

联系电话

010-82371402

E-mail

geng@

研究方向

1、计算凝聚态物理
2、计算材料物理

毕业院校信息：
1998年毕业于中国科学院物理所理论物理专业获理学博士学位

个人简况

　　1992年、1995年毕业于兰州大学物理系理论物理专业获学士、硕士学位；1998年在中国科学院物理研究所获博士学位；1998－2005年，先后在美国西北大学、德国Fritz-Haber研究所等国际著名研究机构从事博士后研究工作。2006年2月，到北京科技大学材料科学与工程学院工作，任教授、博士生导师。每年招收博士生（含硕－博连读生）1－2名。
　　以基于密度泛函理论的量子力学第一原理计算为手段，研究新材料的力学、电学、磁学、及输运性质。发表SCI论文30余篇。其中Science 1篇 Comment 、Physical Review B 17篇、Applied Physics Letters 1篇 、Materials Transactions 综述1篇。论文被他人引用300余次。应邀为Physical Review Letters、Physical Review B、Applied Physics Letters、Physics Letter A等国际著名杂志审稿。
　　在探索偏聚的杂质与合金元素对晶界脆化作用的微观机制方面，取得重要成果。发现小的原子尺寸、与镍成键的离子性使得偏聚到晶界上的氢原子减弱了镍的晶粒之间的结合。从能量的角度，在电子层次上揭示了氢脆现象的微观机制，对于寻找克服氢脆效应的途径有重要的指导意义。依据描述晶界脆性的Rice-Wang热力学模型，建立了一个基于量子力学第一原理总能计算的唯象理论。该理论以替代位偏聚原子和基体材料各自的物性以及由第一原理计算得出的偏聚前的晶界的几何构型为参数，可以相当准确地给出替代位偏聚原子在晶界和自由表面的自由能差值，从而预言偏聚杂质对晶界脆化的影响。把偏聚原子对晶界脆化影响的弹性贡献和化学成键贡献成功分离解决了一个该领域的重要问题，使人们对晶界脆化的认识前进了一大步。在理论预测的指导下，人们可以通过掺杂用有益的偏聚去抑制或抵消有害的偏聚，得到高强度合金材料。较早利用第一原理计算研究稀磁半导体的电学和磁学性质。发现掺入III-V、II-IV-V2等半导体材料中的锰原子之间较强的铁磁性耦合是通过空穴传递的。对磁性和晶格常数的依赖关系的系统研究启发了后继研究者通过选择适当的衬底调制磁性薄膜的晶格常数，从而达到提高居里温度的目的。对室温铁磁半导体掺钴氧化钛的计算研究中，发现钴原子在替代位和间隙位的两种占位以及钴原子的聚集倾向，这种聚集使得钴原子间的铁磁性耦合可以不通过载流子来传递。提出与从传统材料得到的常识不同，超交换相互作用也有可能导致居里温度超过室温的铁磁性。计算结果为进一步的实验所证实。该项工作对磁学基本理论和磁性材料设计都具有重要意义。另外，在过渡金属表面几何结构与电磁性质、金属纳米线的结构性质、分子器件的输运性质等方面也开展了在国际上具有相当影响的独创性研究。
　　主讲《统计物理》、《材料的表面与界面》等本科生、研究生课程。